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发布日期:2019-07-21 01:11   来源:未知   阅读:

  据不完全统计,截至 2017 年年底,我国大陆地区正在运营的晶圆生产线 英寸晶圆生产线 英寸晶圆生产线 英寸晶圆生产线 多条。

  根据 IC Insights 的统计数据,截至 2016 年年底我国大陆地区正在运营的 8 英寸和 12 英寸晶圆生产线 英寸晶圆),占同期全球晶圆总产能的 10.8%。预计 2020 年我国大陆地区 8 英寸和 12 英寸晶圆生产线 英寸晶圆),占同期全球晶圆总产能的 19%。

  截至 2017 年年底,我国大陆地区已投产运行的12 英寸晶圆生产线 万片/月,包括中芯国际 3 条、华力微电子 1 条、武汉新芯 1 条、SK 海力士 2 条、英特尔 1 条、三星电子 1 条、厦门联芯 1 条、合肥晶合 1 条。

  截至 2017 年年底,我国大陆地区正在建设的 12 英寸晶圆生产线 万片/月,包括中芯国际 4 条、华力微二期 1 条、长江存储二期 1 条、南京台积电 1 条、三星电子二期 1 条、合肥长鑫 1 条、福建晋华 1 条、紫光南京 1 条、杭州海康 1 条、淮安德克玛 1 条、重庆万国 1 条、成都格芯 1 条、江苏时代芯存 1 条、粤芯半导体 1 条、华虹宏力 1 条。

  另外,还有一些企业签约或发布公告,计划建设 12 英寸晶圆生产线 条、士兰集科(厦门)2 条等。

  按照 2018 年 4 月的统计,我国大陆地区 12 英寸晶圆生产线汇总情况如下。

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  (1)中芯国际(B1),北京,月产能 4.5 万片,技术水平 90~65 nm CMOS,运行中。(2)中芯国际(B2A),北京,月产能 3.5 万片,技术水平 65~28 nm CMOS,运行中。

  (3)中芯国际(S2A),上海,月产能 2 万片,技术水平 40~28 nm CMOS,运行中。

  (4)华力微(华虹 Fab5),上海,月产能 3.5 万片,技术水平 55~28 nm CMOS,运行中。

  (5)武汉新芯(Fab1),武汉,月产能 2.5 万片,技术水平 90~65 nm NAND,运行中。

  (6)SK 海力士(HC1),无锡,月产能 10 万片,技术水平 90~40 nm DRAM,运行中。

  (7)SK 海力士(HC2),无锡,月产能 7 扩至 12万片,技术水平 45~25 nm DRAM,运行中。

  (8)英特尔(Fab68),大连,月产能 6 万片,技术水平 65~40 nm NAND,运行中。

  (9)三星电子(Fab1),西安,投资规模 100 亿美元,月产能 10 万片,技术水平 20~10 nm NAND,运行中。

  (10)厦门联芯(Fab12),厦门,投资规模 62 亿美元,月产能 5 万片,技术水平 40~28 nm CMOS,运行中。

  (11)晶合集成(N1),合肥,投资规模 128亿元,月产能一期 2 万片,二期 4 万片,技术水平 65~55 nm LCD 驱动,运行中。

  (12)中芯国际(B2B),北京,投资规模 40 亿美元,月产能 3.5 万片,技术水平 28~14 nm CMOS,在建

  (13)中芯国际(SN1),上海,投资规模总计 675 亿元,月产能 3.5 万片,技术水平 14~10 nm 研发,在建。

  (14)中芯国际(SN2),上海,月产能 3.5万片,技术水平 28~14 nm CMOS,在建。

  (15)中芯国际(G2),深圳,投资规模 106亿元,月产能 4 万片,技术水平 90~40 nm CMOS,在建。

  (16)华力微二期(华虹 Fab6),上海,投资规模 55 亿美元,月产能 4 万片,技术水平 28~14 nm CMOS,在建。

  (17)台积电,南京,投资规模 70 亿美元,月产能一期 2 万片,二期 4 万片,技术水平 16 nm FinFET,在建。

  (18)长江存储二(Fab2),武汉,投资规模总计 240 亿美元,月产能二期 30 万片,三期 100 万片,技术水平 NAND Flash,在建。

  (19)合肥长鑫,合肥,投资规模 72 亿美元,月产能 12.5 万片,技术水平 19 nm DRAM,在建。

  (20)福建晋华,福建,投资规模 370 亿元,月产能 6万片,技术水平 2X nm DRAM,在建。

  (21)紫光南京,南京,投资规模总计为 300 亿美元,月产能 10 万片,技术水平 DRAM、NAND,在建。

  (22)中电海康,杭州,投资规模 13 亿元,月产能 3 万片,技术水平 MRAM,在建。

  (23)德克玛淮安(Fab1),淮安,投资规模约 25 亿美元,,月产能 2 万片,技术水平 CIS,在建。

  (24)重庆万国,重庆,投资规模 10 亿美元,月产能一期 2 万片,二期 5 万片,技术水平功率器件,在建。

  (25)成都格芯(Fab11),成都,投资规模 100 亿美元,月产能一期 2 万片,二期 6万片,技术水平 22 nm FD-SOI,在建。

  (26)时代芯存,淮安,投资规模总计 130 亿元,月产能 1 万片,技术水平相变存储器,在建。

  (27)粤芯半导体,广州,投资规模 70 亿元,月产能 3 万片,技术水平 CMOS,在建。

  (28)华虹宏力(华虹 Fab7),无锡,投资规模总计 100 亿美元,月产能 4 万片,技术水平 90~65 nm 特色工艺,在建。

  (29)三星二期(Fab2),西安,投资规模 70 亿美元,月产能 10 万片,技术水平 20~10 nm NAND,在建。

  2.2 我国 8 英寸晶圆生产线 年年底,我国大陆地区已投产运行的 8 英寸晶圆生产线 万片/月,包括中芯国际 5 条、华虹宏力 3 条、台积电(上海)1 条、苏州和舰科技 2 条、上海先进 1 条、华润微电子 3 条(无锡 1 条、重庆 2 条)、成都德仪 1 条、中车株洲所 1 条、中科院微电子所 1 条、上海微电子工研院 1 条、宁波时代全芯 1 条、杭州士兰集昕 1 条。

  (2)上海新进(Fab1),上海,月产能 5 万片,技术水平 1.5~0.5 m BCD,运行中。

  (4)华润上华(Fab1),无锡,月产能 8 万片,技术水平 0.6~0.35 m CMOS,运行中。

  (23)中车株洲所(Fab1),株洲,月产能 0.5 万片,技术水平 0.35 m IGBT,运行中。

  (24)厦门集顺(Fab1),厦门,月产能 6 万片,技术水平 0.5~0.35 m 数模混合,运行中。

  (25)扬州晶芯,扬州,月产能 3 万片,技术水平 0.35~0.18 m CMOS,运行中。

  (27)长沙创芯(Fab1),长沙,月产能 3.5万片,技术水平 0.35 m 数模混合,运行中。

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